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历史招中标信息38844条
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| 高真空磁控溅射系统一套 | 项目编号****点击查看 | |
| 2025-07-10 14:40:00 | 公告截止日期2025-07-15 15:00:00 | |
| ****点击查看 | 付款方式请查看比选文件 | |
| 联系电话 | ||
| 到货时间要求 | 合同签订后150个日历日内 | |
| ￥990000.00 | ||
| **校区第一理科楼楼中124 房间 | ||
| 符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 | ||
| 高真空磁控溅射系统 | 1 | 台 | 其他试验仪器及装置 |
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| ￥ 990000.00 |
| 该设备具有可控制的磁场、稳定的氩气控制方案，主要用于在超高真空环境中制备单层、多层薄膜，主要为多层金属薄膜、合金薄膜、半导体材料薄膜、氧化物薄膜等；溅射方式主要有直流溅射以及射频溅射。 一、真空系统： 1.▲超高真空304不锈钢圆柱体反应腔体，尺寸不小于450mm高×350mm直径；腔体顶部采用橡胶圈密封，底部采用金属密封；采用前开门设计，方便打开腔体；主腔体配备不少于1个6英寸观察窗，带手动挡板； 2.★极限真空度：8×10－5Pa； 3.恢复真空时间：大气至3×10－3Pa≤15min； 4.保真空：达到极限真空度后，关闭高真空阀一小时，真空室真空度≤7×10-1Pa； 5.▲电动蝶阀采用伺服控制，用于自动恒真空系统，使溅射使真空保持恒定。 6.★真空系统配置：分子泵和前级泵组合，配软抽阀及软放阀(可减少真空室排大气时湍流对工件的影响), 管道通径为16mm，真空系统管道采用不锈钢材料，管道软连接处采用金属波纹管；各真空阀门为气动阀门。 二、工艺能力： 1.制造商需要配合用户做工艺设计和工艺参数调整； 2.★制造商需具备一定的技术基础与工艺能力，采用磁控溅射单一技术， 制备Ni金属单质薄膜，厚度≥300nm，基底尺寸要求＞φ50mm，基底材质为PI基材），并在投标时提供样品的测试数据（附在投标文件中）。要求样品肉眼观察无明显裂纹，背面用光源照射时也不会出现明显裂纹。 3.▲根据工艺要求，设备成膜均匀性最优可达（SiO2）：±1.5% @ 200mm基片（去除边缘5mm）； 三、样品台系统： 1.★样品台具备溅射4英寸基片的能力并向下兼容，安装在真空腔顶部，向上溅射，样品台配置最高温度不低于800℃，加热系统采用控温精度±1℃； 2.▲样品台可调工作距离不少于70mm，铝合金材质； 3.工件转动的动密封为磁流体密封，工件盘轴向、径向跳动≤±2.5%； 四、电源和靶系统： 1.★主腔室底部配置不少于3套4英寸（使用直径4英寸的靶材）靶枪； 2.所有靶枪均配备独立的气动挡板和套筒，防止靶材交叉污染； 3.所有靶枪适应直流电源或射频电源工作模式； 4.★靶枪电源包括：不少于2套功率500W直流电源，带专用4路切换器，通过切换器，其中1个直流电源可连接4个靶枪，通过电脑控制切换给不同靶枪供电；不少于1套功率600W射频电源，带自动匹配网络及输出电缆； 五、电控系统： 1.▲控电柜采用一体式，仪表安装柜采用非标准英尺寸，另一侧作为电器元件安装柜结构为大板式，便于安装维护，元器件损坏时应易于检测和更换； 2.★配不小于15寸触摸屏控制功能，具有良好的人机界面与操作功能，可实现溅射镀膜过程全自动化控制，从排气到溅射镀膜结束整个过程一键式自动控制，安全连锁的操作系统； 3.控电柜内主要电器外购件均选用通过CE认证或ISO9001认证的生产厂商的产品，确保安全可靠。 六、样品处理装置 1. 加热板材质：陶瓷涂层铝合金 2. 搅拌速度：50-1500rpm 3. 温度范围：室温-320℃ 4. 具备计时功能 5. 具备自动反转功能 七、配置清单 1. 真空腔体1套； 2. 分子泵和直联泵各1套； 3. 射频电源2套，直流电源1套； 4. 电控一体机1套； 5. 冷却循环水1套； 6. 样品处理装置1套； 7. 满足招标要求的其他配置； |
| 服务年限:12月;电话支持:7x24小时;商品承诺:原厂全新未拆封正品;质保期:一年; |
基本情况
上次中标企业: 四川****公司
潜在竞争对手: 共
32
个, 其中与甲方合作关系紧密的
0 家
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